Информация об автореферате

Фотоэлектрические характеристики эпитаксиальных слоев HgCdTe, выращенных в приповерхностных каналах CdZnTe

Фотоэлектрические характеристики эпитаксиальных слоев HgCdTe, выращенных в приповерхностных каналах CdZnTe

Заголовок:
Фотоэлектрические характеристики эпитаксиальных слоев HgCdTe, выращенных в приповерхностных каналах CdZnTe
Автор:
Ибрагимов Тарлан Ибрагим оглы
Год публикации:
2017
Научная сфера:
Технические науки
Код специальности:
2203.01

Библиографическое описание

Ибрагимов, Тарлан Ибрагим оглы. Фотоэлектрические характеристики эпитаксиальных слоев HgCdTe, выращенных в приповерхностных каналах CdZnTe: автореферат дис. ... д-ра философии по физике: 2203.01 / Т. И. Ибрагимов ; науч. рук. Э. К. Гусейнов; Институт Физики им. акад. Г. М. Абдуллаева НАНА.- Баку, 2017.- 21 с.